窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶の成長方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：絹谷信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-221628
公開番号（公開出願番号）：特開平11-060394
出願日： 1997年08月18日
公開日（公表日）： 1999年03月02日
要約：

【要約】【課題】 GaN等のIII 族元素の窒化物結晶、特に、これまで得られていなかった大型のバルク結晶を容易に成長させることができるようにする。【解決手段】本窒化物結晶の成長方法は、シリンダー7内に窒化物結晶粉末(原料6)と液体封止材5を収容し、ピストン3で加圧しながら加熱する工程を含む。GaN結晶の成長方法としては、フラックスとGaN結晶粉末とを加圧下で加熱し、GaNをフラックスに溶解させた後、これを冷却してGaNの結晶を成長させるものにおいて、フラックスの加熱温度を800°C以上とし、かつ、前記フラックスには少なくともGa、In、Pb、Sn、Bi、Naのいずれかーつ以上を含むようにする。

請求項（抜粋）：