特許

J-GLOBAL ID：200903052399034987

窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶の成長方法

発明者： 柴田 真佐知
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-221628
公開番号（公開出願番号）：特開平11-060394
出願日： 1997年08月18日
公開日（公表日）： 1999年03月02日
要約：

【要約】【課題】 GaN等のIII 族元素の窒化物結晶、特に、これまで得られていなかった大型のバルク結晶を容易に成長させることができるようにする。【解決手段】 本窒化物結晶の成長方法は、シリンダー7内に窒化物結晶粉末(原料6)と液体封止材5を収容し、ピストン3で加圧しながら加熱する工程を含む。GaN結晶の成長方法としては、フラックスとGaN結晶粉末とを加圧下で加熱し、GaNをフラックスに溶解させた後、これを冷却してGaNの結晶を成長させるものにおいて、フラックスの加熱温度を800°C以上とし、かつ、前記フラックスには少なくともGa、In、Pb、Sn、Bi、Naのいずれかーつ以上を含むようにする。

請求項（抜粋）：

シリンダー内に窒化物結晶粉末と液体封止材を収容し、ピストンで加圧しながら加熱する工程を含むことを特徴とする窒化物結晶の成長方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 9/06

FI (2件)：

C30B 29/38 D ,  C30B 9/06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭53-106698
  
• 超高圧発生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-066787   出願人：住友重機械工業株式会社