特許
J-GLOBAL ID:200903052400180321
アクティブマトリックス型液晶表示装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-033654
公開番号(公開出願番号):特開平6-250214
出願日: 1993年02月23日
公開日(公表日): 1994年09月09日
要約:
【要約】【目的】 歩留まりを低下させることなく、液晶ディスプレイの走査線抵抗を低抵抗化すると共に、薄膜トランジスタのオフリーク電流を低減させる。【構成】 下層にエッチングレートの大きな薄膜、上層にエッチングレートの小さな薄膜の2層構造を積層し、1回のフォトエッチングにより前記2層構造をパターニングしてゲート電極を形成する。上層膜に対して自己整合的にイオン注入してオフセットゲート構造薄膜トランジスタを形成する。【効果】 走査線のシート抵抗が現状の25Ω/□から3分の1の8Ω/□程度に低減する。さらにオフリーク電流が低減する。その結果、フリッカや表示ムラが少なく、さらに画素保持特性の優れた液晶ディスプレイが実現される。フォト工程は増加しない。
請求項(抜粋):
基板上に平行に配置された複数の走査線と、該走査線と直交して配置された複数の信号線を有し、該信号線と前記走査線の各交点部分に対応して、ソース領域が前記信号線に、ドレイン領域が画素電極に接続され、さらに前記走査線と一体となったゲート電極を具備した薄膜トランジスタが配置されたアクティブマトリックス型液晶表示装置に於いて、走査線およびゲート電極は、2層膜により構成され、しかも、該2層膜は、同一エッチング条件の下で、下層のエッチングレートのほうが、上層のエッチングレートよりも大きい薄膜を積層した2層構造である事を特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置。
IPC (3件):
G02F 1/136 500
, H01L 29/784
, H01L 21/336
FI (2件):
H01L 29/78 311 G
, H01L 29/78 311 P
引用特許:
審査官引用 (9件)
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特開昭47-016625
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液晶表示装置用アレイ基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-005989
出願人:株式会社東芝
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特公昭55-029439
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薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-277092
出願人:富士ゼロックス株式会社
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特開昭52-015313
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特開平3-105325
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特開平4-188770
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特開平4-286338
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特開平1-103875
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