特許

J-GLOBAL ID：200903052423113443

不揮発メモリ装置

発明者： 菅谷 豊明 ,  平本 健一郎
出願人/特許権者： コニカ株式会社
代理人 (1件)： 井島 藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-229444
公開番号（公開出願番号）：特開2001-051910
出願日： 1999年08月13日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】 本発明は不揮発メモリ装置に関し、書き換えの途中で事故が発生しても書き換え直前のデータを保護することができ、またセクタのデータ書き換えに要する時間を短縮することができる不揮発メモリ装置を提供することを目的としている。【解決手段】 複数のセクタを有する電気的消去、書き込みが可能でセクタ単位で消去を行なう不揮発メモリ1と、該不揮発メモリ1にデータの消去、データの書き込み、データの読み出しを指示し制御を行なう不揮発メモリ制御手段2、セクタデータを一時保持するセクタデータ一時保持手段3と、どのセクタに有効なデータが記憶されているかを示すセクタ管理情報を保持するセクタ管理情報保持手段10とを有して構成する。

請求項（抜粋）：

複数のセクタを有する電気的消去、書き込みが可能でセクタ単位で消去を行なう不揮発メモリと、該不揮発メモリにデータの消去、データの書き込み、データの読み出しを指示し制御を行なう不揮発メモリ制御手段と、セクタデータを一時保持するセクタデータ一時保持手段と、どのセクタに有効なデータが記憶されているかを示すセクタ管理情報を保持するセクタ管理情報保持手段とを有することを特徴とする不揮発メモリ装置。

IPC (3件)：

G06F 12/16 340 ,  G06F 12/00 542 ,  G06F 12/02 510

FI (3件)：

G06F 12/16 340 P ,  G06F 12/00 542 M ,  G06F 12/02 510 A

Fターム (8件)：

5B018GA04 ,  5B018HA22 ,  5B018NA06 ,  5B018QA15 ,  5B060AA14 ,  5B082DA02 ,  5B082DE06 ,  5B082GA14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 外部記憶装置、データ処理装置及びデータ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-267178   出願人：ソニー株式会社
• 制御システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-281791   出願人：松下電工株式会社
• 半導体不揮発性記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-283779   出願人：ソニー株式会社
• 不揮発性記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-183075   出願人：ソニー株式会社