特許
J-GLOBAL ID：200903041426608018
不揮発性記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-183075
公開番号（公開出願番号）：特開平9-035488
出願日： 1995年07月19日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【目的】時間の経過に伴うメモリセルのしきい値電圧の遷移によるデ-タの化けを回避でき、高信頼性、高容量の不揮発性記憶装置を実現する。【構成】メモリ装置10の中に二つ以上、たとえば六つのメモリチップ11〜16、リフレッシュ機能を有するリフレッシュ機能ブロック17、クロック機能ブロック18および電池19を備え、リフレッシュ機能ブロックにより各メモリチップあるいは各メモリセクタ-毎に最後の書き込み時からの経過時間を計時し、この経過時間とあらかじめ設定された限界電荷保持時間とを比較し、経過時間が限界電荷保持時間に達したときに各メモリチップあるいはメモリセクタ-に対して再書き込みを行う。これにより、時間の経過に伴う記憶デ-タの化けを回避でき、信頼性および記憶容量の大幅な向上を図れる不揮発性記憶装置を実現できる。
請求項（抜粋）：
電荷蓄積量に応じてしきい値電圧が遷移する電荷蓄積層を有するメモリセルを備え、電圧の印加状態に応じて上記電荷蓄積層の電荷蓄積量を調整して、複数の値をとるデ-タのうち一の値のデ-タを上記メモリセルへ書き込む不揮発性記憶装置であって、補助用内部電源と、上記メモリセルに対して、最後に書き込み動作が行われてからの経過時間を計時する計時手段と、上記計時手段による計時時間と、あらかじめ設定した限界電荷保持時間とを比較し、計時時間が限界電荷保持時間に達したならば、上記補助用内部電源の電圧を上記メモリセルに対して供給し、再度の書き込みを行うリフレッシュ手段とを有する不揮発性記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 309 F
, G11C 17/00 510 Z
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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