特許

J-GLOBAL ID：200903052426401474

膜堆積の間における金属の厚さの自動制御

発明者： ポール アール. ベセル ,  ポール エル. キング
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 鈴木 正剛 ,  佐野 良太 ,  村松 義人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-564578
公開番号（公開出願番号）：特表2004-531702
出願日： 2001年12月03日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

成膜室において膜堆積の間に金属膜の厚さを自動的に制御する新規な方法。この方法では、成膜室でウエハに堆積される金属膜に向けて照射されるX線ビームを生成し、金属膜のX線蛍光を検出する必要がある。検出したX線蛍光に基づいて求められた金属膜の厚さと設定値とを比較し、求めた厚さが設定値未満の場合に堆積を継続する。求めた厚さが設定値に達した場合は堆積を停止する。

請求項（抜粋）：

成膜室でウエハに金属膜を堆積している間に前記金属膜に向けて照射されるX線ビームを生成するステップと、 前記金属膜のX線蛍光を検出して前記金属膜のパラメータを求めるステップと、 を含む、ウエハに堆積中の金属膜のパラメータを監視する方法。

IPC (3件)：

G01B15/02 ,  C23C14/54 ,  H01L21/66

FI (3件)：

G01B15/02 D ,  C23C14/54 E ,  H01L21/66 P

Fターム (19件)：

2F067AA27 ,  2F067CC17 ,  2F067DD03 ,  2F067DD04 ,  2F067DD06 ,  2F067EE10 ,  2F067JJ03 ,  2F067KK01 ,  4K029CA05 ,  4K029EA01 ,  4M106AA01 ,  4M106AA11 ,  4M106BA20 ,  4M106CA48 ,  4M106DH03 ,  4M106DH12 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ27

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体基板上に薄膜を成長させる方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-299551   出願人：株式会社東芝
• 特開平1-319676
  
• 特開平1-319676