特許
J-GLOBAL ID：200903093482509308
半導体基板上に薄膜を成長させる方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-299551
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153692
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 1μm以下の極めて薄いヘテロエピタキシャル成長において、成長条件を制御することにより高精度で薄膜を成長させる。【構成】 半導体基板の表面に半導体の薄膜を成長させる膜成長工程と、前記成長させつつある薄膜にX線を入射させるX線入射工程と、前記X線の入射に伴って前記成長中の薄膜から放出される螢光X線を計測する計測工程と、前記計測工程における計測値に基づいて前記薄膜の成長条件を制御する制御工程とを備えることを特徴とする、半導体基板上に薄膜を成長させる方法。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に半導体の薄膜を成長させる膜成長工程と、前記成長させつつある薄膜にX線を入射させるX線入射工程と、前記X線の入射に伴って前記成長中の薄膜から放出される螢光X線を計測する計測工程と、前記計測工程における計測値に基づいて前記薄膜の成長条件を制御する制御工程と、を備えることを特徴とする、半導体基板上に薄膜を成長させる方法。
IPC (3件)：
H01L 21/203
, G01N 23/223
, H01L 21/66
