特許

J-GLOBAL ID：200903052426443010

電界効果型トランジスタ

発明者： 寺口 信明
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-041138
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332593
出願日： 2006年02月17日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：

【課題】ヘテロ構造を含む電界効果型トランジスタでありながらノーマルオフタイプのトランジスタを提供する。【解決手段】窒化物系III-V族化合物半導体装置は、基板(1)上に順次積層されたバッファ層(2)、第1の窒化物半導体層(3)、および第2の窒化物半導体層(4)を含み、第1の窒化物半導体層の格子定数a1と第2の窒化物半導体層の格子定数a2とがa1>a2の関係にあり、第2の窒化物半導体層上にソース電極(5)とドレイン電極(5)とが形成されかつそれらの電極間の少なくとも一部にピエゾ効果膜(6)が形成されており、そのピエゾ効果膜は第1と第2の窒化物半導体層の格子定数差(a1-a2)に起因して第2の窒化物半導体層に加わる引っ張り応力に比べて同等以上の大きさの圧縮応力を及ぼす。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

格子定数a1およびバンドギャップEg1を有する第1の窒化物半導体層と、 その第1窒化物半導体層上に積層されていて格子定数a2およびバンドギャップEg2を有する第2の窒化物半導体層と、 その第2窒化物半導体層上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、 それらのソース電極およびドレイン電極との間の少なくとも一部の領域において前記第2窒化物半導体層上に形成されたピエゾ効果膜と、 そのピエゾ効果膜の少なくとも一部領域上に形成されたゲート電極とを含み、 前記格子定数a1とa2との関係がa1>a2であり、 前記バンドギャップEg1とEg2との関係がEg1<Eg2であり、 前記ピエゾ効果膜は、ゲート電圧が印加されていないときに前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に電流が流れないように前記第2窒化物半導体層に圧縮応力を及ぼし、ゲート電圧が印加されたときに前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に電流が流れるように前記圧縮応力を解除することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B

Fターム (37件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F140AA00 ,  5F140AA02 ,  5F140AA04 ,  5F140AA08 ,  5F140AB08 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BA17 ,  5F140BB18 ,  5F140BC13 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BK29

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第5,192,987号
  

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-377601   出願人：松下電器産業株式会社