特許

J-GLOBAL ID：200903052429458213

化合物半導体の結晶成長方法及び光半導体装置

発明者： 八百 隆文 ,  張 志豪
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-053531
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261017
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】 高濃度までのn型ZnTe系物質を成長することができ、ZnTe系物質のpn接合を容易に形成することができる化合物半導体の結晶成長方法及び光半導体装置を提供する。【解決手段】 基板1上に結晶成長法として分子線エピタキシを用い、不純物としてAlを用い、前記ZnTeの成長条件の最適化を行うことによって、1×1017cm-3以上の高濃度n型ZnTe層2の成長を行う。

請求項（抜粋）：

ZnTe中にn型不純物をドーピングして高濃度低抵抗n型ZnTe結晶を成長させる化合物半導体の結晶成長方法において、分子線エピタキシを用いて結晶を成長させ、不純物としてAlを用い、前記ZnTeの成長条件の最適化を行うことによって、1×1017cm-3以上の高濃度n型ZnTeの成長を行うことを特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/48 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/203 M ,  C30B 23/08 M ,  C30B 29/48 ,  H01L 33/00 D

Fターム (30件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077DA05 ,  4G077EA02 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077EF03 ,  4G077SC02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F103AA04 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103LL04 ,  5F103LL17 ,  5F103NN01 ,  5F103NN02 ,  5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-087382
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Forming of Al-doped ZnTe epilayers grown by molecular beam epitaxy