特許

J-GLOBAL ID：200903052454331376

炭化ケイ素単結晶の研削方法

発明者： 中村 昌生 ,  丸山 隆之 ,  門原 拓也
出願人/特許権者： 株式会社ブリヂストン
代理人 (6件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-155948
公開番号（公開出願番号）：特開2009-298659
出願日： 2008年06月13日
公開日（公表日）： 2009年12月24日
要約：

【課題】 炭化ケイ素単結晶を効率よく、且つ割れ等の破損がない状態で容易に切り出すことができる炭化ケイ素単結晶の研削方法を提供する。【解決手段】 坩堝蓋体3を切削予定面Cの位置でワイヤーソーを用いて切断する。切削予定面Cから種結晶載置部3Cの表面までの厚さtは、種結晶4を含む炭化ケイ素単結晶5の成長高さhの3倍以下になるように設定する。次いで、炭化ケイ素単結晶5を研削装置の中空円筒状砥石を用いて研削(円形加工)する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

黒鉛でなる円筒形状の坩堝本体と、前記坩堝本体の一方の開口部を閉塞し、前記坩堝本体内に臨む面に炭化ケイ素の種結晶が配置される、黒鉛でなる坩堝蓋体と、を備えてなる坩堝を用いて、前記種結晶上に形成された炭化ケイ素単結晶の研削方法であって、 前記炭化ケイ素単結晶が形成された前記坩堝蓋体が残るように、前記坩堝本体のみを取り外す工程と、 前記坩堝蓋体を前記坩堝本体の軸方向と直角をなす方向に切削する工程と、 前記炭化ケイ素単結晶を研削する工程と、 を備えることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の研削方法。

IPC (5件)：

C30B 29/36 ,  B24B 1/00 ,  H01L 21/304 ,  C30B 33/00 ,  C30B 23/06

FI (5件)：

C30B29/36 A ,  B24B1/00 B ,  H01L21/304 601Z ,  C30B33/00 ,  C30B23/06

Fターム (22件)：

3C049AA04 ,  3C049AA05 ,  3C049AA09 ,  3C049AA13 ,  3C049AB03 ,  3C049AB04 ,  3C049CA02 ,  3C049CA05 ,  3C049CB02 ,  3C049CB03 ,  4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EG04 ,  4G077EG11 ,  4G077FG13 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077SA12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 単結晶加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-080627   出願人：株式会社スーパーシリコン研究所