基準回路および方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大貫進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-241071
公開番号（公開出願番号）：特開平11-134048
出願日： 1998年08月12日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】温度に独立した基準電圧を与える基準回路を提供する。【解決手段】基準回路は、ベース-エミッタ電圧|VBE|の電圧差ΔVを与える2つのバイポーラ・トランジスタを有し、更に、ΔVから得られる電流IR1と、一方のバイポーラ・トランジスタのベース-エミッタ電圧から得られる電流IR2とを加算し、電流IR1,IR2の温度係数を補償する2つの抵抗を有する。基準回路は、電圧転送部を有し、これらがΔVを抵抗に転送することにより、抵抗はバイポーラ・トランジスタにほぼ負荷をかけない。電圧転送部は、n-チャネルFETから成る入力段を有する。バイポーラ・トランジスタに結合された制御部が、温度変化に対して電圧転送部の入力電圧(|VCE|)を調節することによって、n-チャネルFETは活性領域において動作する。制御部は、n-FETのドレイン-ソース間電圧と同様に、温度およびプロセスに依存する電圧VDSREFを与える電圧源を有する。

請求項（抜粋）：

基準回路(200)であって:第1電流I1 および第1電流密度J1 を有し、第1ベース-エミッタ間電圧|VBE1 |を与える第1トランジスタ(216);第2電流I2 および第2電流密度J2 を有し、第2ベース-エミッタ間電圧|VBE2 |を与える第2トランジスタ(226);前記第1トランジスタ(216)に結合された第1電圧転送部(260);前記第2トランジスタ(226)に結合された第2電圧転送部(270);値R1 を有し、前記第1電圧転送部(260)によって前記第1トランジスタ(216)に結合され、更に前記第2電圧転送部(270)によって前記第2トランジスタ(226)に結合された第1抵抗(210)であって、実質的に前記第1電流I1 または前記第2電流I2 から得られたのではない第3電流IR1=(|VBE1 |-|VBE2 |)/R1 が通過する第1抵抗(210);および値R2 を有する第2抵抗(220)であって、前記第1電圧転送部(260)によって前記第1トランジスタ(216)に結合され、実質的に前記第1電流I1 から得られたのではない第4電流IR2が通過する第2抵抗(220);から成り、前記基準回路(200)において,前記第3電流IR1,および前記第4電流IR2が加算され、基準電流IM として与えられることを特徴とする基準回路(200)。

引用特許：

審査官引用 (3件)

基準電圧回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-033674 出願人：株式会社東芝
基準電圧発生回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-047025 出願人：旭化成マイクロシステム株式会社
特開昭61-145616

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