特許
J-GLOBAL ID：200903052458717589
ウラン(U)含量の少ないハイドロタルサイト類化合物およびその製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小田島 平吉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-333357
公開番号（公開出願番号）：特開2000-159520
出願日： 1998年11月10日
公開日（公表日）： 2000年06月13日
要約：
【要約】【課題】 特にトランジスタ、IC、LSI等の半導体素子用の封止剤として使用される、例えばエポキシ樹脂等の合成樹脂用添加剤として有用なハイドロタルサイト類化合物を提供する。【解決手段】本発明は、下記式【化1】式中 M<SP>2+</SP>はMg<SP>2+</SP>およびZn<SP>2+</SP>の少なくとも1つ、xは0.2≦x<0.5の正数、A<SP>2-</SP>はCO<SB>3</SB><SP>2-</SP>およびSO<SB>4</SB><SP>2-</SP>の少なくとも1つ、mは0〜2の数を示すの組成を有し、ウラン(U)含量が10ppb以下、平均2次粒子径が約3μm以下で、かつBET比表面積が30m<SP>2</SP>/g以下であることを特徴とするハイドロタルサイト類化合物に関する。
請求項（抜粋）：
式(1)【化1】式中 M<SP>2+</SP>はMg<SP>2+</SP>およびZn<SP>2+</SP>の少なくとも1つ、xは0.2≦x<0.5の正数、A<SP>2-</SP>はCO<SB>3</SB><SP>2-</SP>およびSO<SB>4</SB><SP>2-</SP>の少なくとも1つ、mは0〜2の数を示すの組成を有し、ウラン(U)含量が10ppb以下、平均2次粒子径が約3μm以下で、かつBET比表面積が30m<SP>2</SP>/g以下であることを特徴とするハイドロタルサイト類化合物。
IPC (7件)：
C01F 7/00
, C01F 7/76
, C01G 9/00
, C08K 3/26
, C08K 9/04
, C09C 1/40
, C09C 3/08
C01F 7/00 C
, C01F 7/76
, C01G 9/00 B
, C08K 3/26
, C08K 9/04
, C09C 1/40
, C09C 3/08
4G047AA05
, 4G047AB02
, 4G047AC03
, 4G047AD03
, 4G076AA10
, 4G076AA18
, 4G076AA19
, 4G076AA21
, 4G076AB06
, 4G076AB08
, 4G076BA13
, 4G076BA15
, 4G076BA43
, 4G076BC02
, 4G076BD01
, 4G076BD02
, 4G076BF06
, 4G076CA05
, 4G076CA28
, 4G076CA37
, 4G076DA02
, 4J002BB031
, 4J002BB051
, 4J002BB061
, 4J002BB071
, 4J002BB111
, 4J002BB121
, 4J002BB151
, 4J002BB171
, 4J002BB241
, 4J002CD021
, 4J002CD041
, 4J002CD051
, 4J002CF061
, 4J002CF071
, 4J002CK021
, 4J002CL011
, 4J002CL031
, 4J002DE286
, 4J002FB096
, 4J002FB166
, 4J002FB236
, 4J002FB246
, 4J002FD016
, 4J037AA09
, 4J037AA11
, 4J037AA24
, 4J037AA30
, 4J037CB09
, 4J037CB22
, 4J037CB23
, 4J037CB26
, 4J037DD05
, 4J037DD07
, 4J037DD24
, 4J037DD27
, 4J037EE02
, 4J037EE28
, 4J037EE43
, 4J037EE46
, 4J037EE47
, 4J037FF30
