特許

J-GLOBAL ID：200903052476836749

半導体装置の実装方法及び実装構造体

発明者： 大内 明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-192940
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118209
出願日： 2001年06月26日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】 バンプが形成されたベアチップまたはチップサイズパッケージ等の半導体装置の配線基板への実装構造体において、封止樹脂の本硬化後にもリワーク可能でありかつ接続信頼性も良好な実装構造体及び実装方法を提供する。【解決手段】 半導体装置6の電極8と基板1の電極7がバンプ5を介して電気的に接続され、半導体装置6と基板1との間隙に所定条件下に機械的強度が低下してリワーク可能となる第1の樹脂3と、半導体装置6と基板1との熱膨張係数の違いによる応力を緩和可能であり、且つ前記所定条件下における機械的強度が前記第1の樹脂より優れる第2の樹脂4とが積層されて形成され、且つ、第1の樹脂3は、半導体装置6と基板1の少なくとも一方の表面に、前記間隙に対して総計で1/2未満の厚さに形成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体装置の電極と配線基板の電極がバンプを介して電気的に接続されて成り、前記半導体装置と前記配線基板との間隙に所定条件下に機械的強度が低下してリワーク可能となる第1の樹脂と、前記半導体装置と前記配線基板との熱膨張係数の違いによる応力を緩和可能であり、且つ前記所定条件下における機械的強度が前記第1の樹脂より優れる第2の樹脂とが積層されて形成されて成り、且つ、前記第1の樹脂は、前記半導体装置と前記配線基板の少なくとも一方の表面に、前記間隙に対して総計で1/2未満の厚さに形成されていることを特徴とする半導体装置実装構造体。

IPC (10件)：

H01L 23/29 ,  C09J 5/00 ,  C09J201/00 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/31 ,  H05K 1/18 ,  H05K 3/34 507

FI (10件)：

C09J 5/00 ,  C09J201/00 ,  H01L 21/56 R ,  H01L 21/60 311 Q ,  H05K 1/18 L ,  H05K 3/34 507 C ,  H01L 23/30 D ,  H01L 23/30 B ,  H01L 21/92 604 H ,  H01L 23/12 F

Fターム (47件)：

4J040DF001 ,  4J040EC001 ,  4J040ED001 ,  4J040ED111 ,  4J040FA121 ,  4J040FA241 ,  4J040FA261 ,  4J040GA03 ,  4J040GA05 ,  4J040GA07 ,  4J040GA13 ,  4J040MB05 ,  4J040NA20 ,  4M109AA02 ,  4M109BA03 ,  4M109CA04 ,  4M109CA10 ,  4M109EA02 ,  4M109EA12 ,  4M109EB02 ,  4M109EB12 ,  4M109EC20 ,  5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319BB04 ,  5E319BB20 ,  5E319CC33 ,  5E319CD60 ,  5E319GG03 ,  5E319GG20 ,  5E336AA04 ,  5E336CC34 ,  5E336CC36 ,  5E336CC58 ,  5E336EE03 ,  5E336GG23 ,  5F044LL01 ,  5F044LL04 ,  5F044QQ04 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19 ,  5F061AA02 ,  5F061BA03 ,  5F061CA04 ,  5F061CA10 ,  5F061CB13 ,  5F061GA02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シート状接着剤組成物およびそれを用いた電子部品装置ならびにそのリペアー方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-315146   出願人：日東電工株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-344945   出願人：株式会社日立製作所