特許
J-GLOBAL ID：200903052477527138

半導体発光素子

発明者：
河角 孝行

河角 孝行 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-063537
公開番号（公開出願番号）：特開2006-253180
出願日： 2005年03月08日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：
【課題】発光効率の向上した半導体発光素子を提供する。【解決手段】 活性層13の両側に、活性層13よりも大きなバンドギャップを有する第1キャリア閉じ込め層12および第2キャリア閉じ込め層14、更にこれら第1キャリア閉じ込め層12および第2キャリア閉じ込め層14の両側に第1光ガイド層11および第2光ガイド層15が配置されている。第1光ガイド層11および第2光ガイド層15は、活性層13の発光波長に相当するエネルギーより大きなバンドギャップを有し、かつ第1キャリア閉じ込め層12および第2キャリア閉じ込め層14よりも大きな屈折率を有する。第1光ガイド層11および第2光ガイド層15の屈折率は、これら光ガイド層を含む積層構造全体の実効屈折率よりも大きい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
活性層と、 前記活性層より大きなバンドギャップを有し、前記活性層の両側に配置された一対のキャリア閉じ込め層と、 前記活性層の発光波長に相当するエネルギーより大きなバンドギャップを有すると共に、前記キャリア閉じ込め層より大きな屈折率を有し、前記一対のキャリア閉じ込め層の両側にそれぞれ配置された光ガイド層と を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 B
Fターム (9件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA37 ,  5F041CA65 ,  5F041CA93 ,  5F041FF06 ,  5F041FF16
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-209901   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-299010   出願人：ローム株式会社

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