半導体発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-299010
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134650
出願日： 2002年10月11日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【課題】発光層で発光する光が半導体基板で吸収される割合を減らすと共に上面側へ光を引っ張ることで、外部量子効率を高くすることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】たとえば半導体基板1上に化合物半導体からなる活性層3を、活性層3よりバンドギャップが大きい化合物半導体からなり、異なる導電形の第1クラッド層2および第2クラッド層4により挟持する発光層形成部9が設けられ、さらに発光層形成部9の第2クラッド層4上にウィンドウ層5が設けられている。本発明では、第2クラッド層4が半導体基板側に設けられる第1クラッド層2よりも屈折率の大きい半導体層からなり、かつ、ウィンドウ層5が第2クラッド層4よりも屈折率の大きい半導体層からなっている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板上に設けられ、化合物半導体からなる活性層を、該活性層よりバンドギャップの大きい化合物半導体からなり、異なる導電形の第1クラッド層および第2クラッド層により挟持する発光層形成部と、少なくとも該第2クラッド層上に設けられるウィンドウ層とを有する半導体発光素子であって、前記第2クラッド層は、前記半導体基板側に設けられる前記第1クラッド層よりも屈折率が大きい化合物半導体からなり、かつ、前記ウィンドウ層は、前記第2クラッド層よりも屈折率が大きい化合物半導体からなる半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 B

Fターム (7件)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA08 , 5F041CA12 , 5F041CA35 , 5F041CA36 , 5F041CA65

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭55-041741
特開平3-145172
特開昭57-043487

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