特許
J-GLOBAL ID：200903052478570398
トレンチ隔離領域の形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-172153
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102441
出願日： 2000年06月08日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 トレンチ上に均一のガス分布領域を形成して、均一の密度を有する絶縁層を成長することにより、シリコン窒化膜ライナー層上に形成された絶縁層が界面で剥れる損傷を防止するトレンチ隔離領域の形成方法を提供する。【解決手段】 トレンチ隔離領域の形成方法は、半導体素子の表面に所定の深さでトレンチ36を形成する段階と、前記トレンチ36を含む半導体素子の表面上に窒化膜ライナー層38を形成する段階と、前記窒化膜ライナー層38上に均一に分布されたガス分布領域を形成する段階と、前記ガス分布領域を形成した後に、前記トレンチ36を充填して絶縁層44を形成する段階とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体素子の表面に所定の深さでトレンチを形成する段階と、前記トレンチを含む半導体素子の表面上に窒化膜ライナー層を形成する段階と、前記窒化膜ライナー層上に均一に分布されたガス分布領域を形成する段階と、前記ガス分布領域を形成した後に、前記トレンチを充填して絶縁層を形成する段階とを含むことを特徴とするトレンチ隔離領域の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/316 X
, H01L 21/76 L
5F032AA35
, 5F032AA46
, 5F032AA49
, 5F032DA01
, 5F032DA02
, 5F032DA22
, 5F032DA78
, 5F058BA02
, 5F058BA10
, 5F058BD02
, 5F058BD04
, 5F058BD07
, 5F058BD10
, 5F058BE10
, 5F058BF25
, 5F058BF29
, 5F058BH10
, 5F058BJ06
