特許
J-GLOBAL ID：200903059069504078

半導体装置における絶縁膜の形成方法

発明者：
大田 裕之

大田 裕之 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-233800
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094505
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 オゾン(O3 )及びテトラエトキシオルソシリケート(TEOS)の混合ガスを用いた熱化学気相成長法(CVD法)により基体上にシリコン酸化膜を形成する方法に関し、段差部等での異常成長が防止されるとともに、水分や有機物等の含有量が少なく、かつ平坦性の優れた半導体装置における絶縁膜の形成方法を提供する。【構成】 基体14を加熱した状態で、基体14の被成長面をテトラエトキシオルソシリケートに曝す工程と、基体14を成長温度に保持した状態でオゾン(O3 )及びテトラエトキシオルソシリケートの混合ガスを用いた熱化学気相成長法(CVD法)により基体14上にシリコン酸化膜15を形成する工程とを含み構成する。
請求項（抜粋）：
基体を加熱した状態で、前記基体の被成長面をテトラエトキシオルソシリケートに曝す工程と、前記基体を成長温度に保持した状態で、オゾン及び前記テトラエトキシオルソシリケートの混合ガスを用いた熱化学気相成長法により、前記基体上にシリコン酸化膜を形成する工程とを有する半導体装置における絶縁膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/318
引用特許：
審査官引用 (4件)
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