特許
J-GLOBAL ID：200903052485164168
パターン描画装置及びパターン描画方法ならびにそのプログラム、フォトマスクとその製造方法および半導体集積回路とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-001135
公開番号（公開出願番号）：特開2005-195787
出願日： 2004年01月06日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：
【課題】 回路パターンの描画されたフォトマスクブランクスの製造過程における近接効果やローディング効果の補正を施す際に、電子計算機にかかる計算処理の負荷を軽減することで当該計算処理にかかる時間を短縮することができ、また露光量の調節によって近接効果とローディング効果の補正を適切に行うことが出来る回路パターンのパターン描画装置を提供する。【解決手段】 分割処理部23が回路パターンを分割し、影響度マップ作成部24が影響度マップを作成する。そして、近接効果影響値算出部25が近接効果影響値を算出し、ローディング効果補正量算出部26がローディング効果補正量を算出する。また露光量算出手段が、マイクロローディング効果小区画ごとに露光量を算出する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
フォトマスクブランクスに描画する回路パターンを、近接効果の影響が出る近接効果小区画に分割する近接効果小区画分割手段と、
前記回路パターンを、ローディング効果の影響が出るローディング効果小区画に分割するローディング効果小区画分割手段と、
回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、1つの近接効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他の近接効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記1つの近接効果小区画に対する前記他の近接効果小区画毎の第1影響度マップを、前記近接効果小区画ごとに作成する第1影響度マップ作成手段と、
回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、1つのローディング効果小区画の回路パターンを描画する前記フォトマスクブランクスの部分に対して、他のローディング効果小区画の回路パターンを描画した露光量が影響する影響度を算出し、前記1つのローディング効果小区画に対する前記他のローディング効果小区画毎の第2影響度マップを、前記ローディング効果小区画ごとに作成する第2影響度マップ作成手段と、
前記近接効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第1影響度マップで表される影響度とに基づいて、1つの近接効果小区画に対する他の近接効果小区画の近接効果の影響を積算した近接効果影響値を全ての近接効果小区画それぞれについて算出する近接効果影響値算出手段と、
前記ローディング効果小区画における回路パターンの面積密度と前記第2影響度マップで表される影響度とに基づいて、ローディング効果補正量をローディング効果小区画それぞれについて算出するローディング効果補正量算出手段と、
ローディング効果補正量と補正係数との関係を表す補正係数算出表を予め記憶する補正係数算出表記憶手段と、
前記算出された各ローディング効果補正量に対応する補正係数を前記補正係数算出表から導き、所定面積密度の回路パターンを適切に描画できる露光量と、前記近接効果影響値と、前記導いた補正係数とに基づいて、前記回路パターンの描画時の露光量を、前記近接効果小区画または前記ローディング効果小区画のうち小さい小区画ごとに算出する露光量算出手段と、
を備えることを特徴とするパターン描画装置。
IPC (3件)：
G03F1/08
, G03F7/20
, H01L21/027
G03F1/08 A
, G03F7/20 521
, H01L21/30 541S
, H01L21/30 541M
2H095BB01
, 2H095BB02
, 2H095BB32
, 2H095BB36
, 5F056AA22
, 5F056CA04
, 5F056CA05
, 5F056CC11
, 5F056CD13
, 5F056FA05
, 5F056FA08
