特許

J-GLOBAL ID：200903052489560424

半導体装置の製造方法

発明者： 工藤 寛 ,  佐藤 幸博
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-020086
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213386
出願日： 1995年02月08日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、熱処理を加えても、フッ素が膜中から放出されない安定したSiOF膜を得られるようにする。【構成】 化学気相堆積法を適用することに依り、反応室1内のプレート4上に在るウエハ15に気化されたTEOS及びC2 F6 ガス及びO2 ガスの混合物ガスをシャワー・ヘッド5を介して噴射し、フッ素含有シリコン酸化膜の成膜を行い、その後、ウエハ15上の前記フッ素含有シリコン酸化膜をO2 ,N2 ,N2O,O3 ,NO2 ,CO,CO2 のうち少なくとも一種類以上のガスを用いたプラズマ雰囲気に曝すことで、熱処理工程に於けるフッ素の放出を抑止する。

請求項（抜粋）：

化学気相堆積法を適用することに依って基板上にフッ素含有シリコン酸化膜を成膜する工程と、その後、該フッ素含有シリコン酸化膜をO2 ,N2 ,N2 O,O3 ,NO2 ,CO,CO2 のうち少なくとも一種類以上のガスを用いたプラズマ雰囲気に曝す工程とが含まれてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の層間絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-010043   出願人：ソニー株式会社