特許

J-GLOBAL ID：200903052495575603

半導体集積回路装置

発明者： 山口 正也
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-081540
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267319
出願日： 2000年03月23日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 内部領域に寄生容量を発生させることなく、ダミーパタンを設けてデータ率を調整することができる半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 複数の配線層からなる多層配線構造を有し、チップ表面10a中央部の内部領域の周囲にパッド11が配置された半導体集積回路装置において、内部領域以外の、パッドを構成する金属層を除いた層にダミーパタン13を設けた。

請求項（抜粋）：

複数の配線層からなる多層配線構造を有し、表面中央部の内部領域の周囲にパッドが配置された半導体集積回路装置において、前記内部領域以外の、パッドを構成する金属層を除いた層に金属パタンを設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。

Fターム (6件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033KK08 ,  5F033VV01 ,  5F033VV07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-335217   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-153042
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-156985   出願人：日本電気株式会社