特許

J-GLOBAL ID：200903052495668822

非晶質シリコン太陽電池及びその製造方法

発明者： 森田 章二 ,  村田 正義 ,  竹内 良昭 ,  西宮 立淳 ,  高野 暁己 ,  大嶋 一晃 ,  青井 辰史 ,  堀岡 竜治
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-339702
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164908
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】短絡電流や開放電圧を増大しえることを課題とする。【解決手段】透明基板11と、この透明基板11上に形成された透明電極12と、この透明電極12上に形成されたp層13と、このp層13上に形成され、低欠陥密度のi層初期膜15,i層バルク膜16及び低欠陥で表面被覆性に優れたi層後期膜17からなるi層と、このi層上に形成されたn層19と、このn層19上に形成された金属電極20とを具備することを特徴とする非晶質シリコン太陽電池。

請求項（抜粋）：

透明基板と、この透明基板上に形成された透明電極と、この透明電極上に形成されたp層と、このp層上に形成され、低欠陥密度のi層初期膜及びi層バルク膜を有したi層と、このi層上に形成されたn層と、このn層上に形成された金属電極とを具備することを特徴とする非晶質シリコン太陽電池。

FI (2件)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 V

Fターム (7件)：

5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051CA03 ,  5F051CA15 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-192373
  
• 特開昭60-192374
  
• 光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-325715   出願人：三洋電機株式会社