ポリイミド前駆体、感光性樹脂組成物、レリーフパターンの製造法及び半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-245376
公開番号（公開出願番号）：特開2000-072875
出願日： 1998年08月31日
公開日（公表日）： 2000年03月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】優れた感光特性を示し、高解像度で残膜率に優れ、イミド化時の揮散性と硬化膜の特性の良好なポリイミド前駆体及び該ポリイミド前駆体より得られるポリイミド膜を有する信頼性に優れる半導体装置を提供する。【解決手段】一般式(I)[式中、Ar1は芳香環を有する4価の有機基であり、Ar2は芳香環を有する2価の有機基であり、X及びX’は、各々独立にカルボキシル基又は一般式(II)(式中、R及びR’は、各々独立に水素原子、メチル基、エチル基又はプロピル基であり、R”は水素原子又はメチル基であり、nは2、3又は4である)で示される基であり、X及びX’の少なくとも一方は一般式(II)で示される基である]で表される繰り返し単位を有するポリイミド前駆体及び該ポリイミド前駆体より得られるポリイミド膜を有する半導体装置。

請求項（抜粋）：

一般式(I)【化1】[式中、Ar1は芳香環を有する4価の有機基であり、Ar2は芳香環を有する2価の有機基であり、X及びX’は、各々独立にカルボキシル基又は一般式(II)【化2】(式中、R及びR’は、各々独立に水素原子、メチル基、エチル基又はプロピル基であり、R”は水素原子又はメチル基であり、nは2、3又は4である)で示される基であり、X及びX’の少なくとも一方は一般式(II)で示される基である]で表される繰り返し単位を有するポリイミド前駆体。

IPC (12件)：

C08G 73/10 , C08F 2/50 , C08F290/14 , C08L 79/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/027 502 , G03F 7/027 514 , G03F 7/029 , G03F 7/038 504 , H01L 21/027 , C09D 5/00 , C09D179/08

FI (12件)：

C08G 73/10 , C08F 2/50 , C08F290/14 , C08L 79/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/027 502 , G03F 7/027 514 , G03F 7/029 , G03F 7/038 504 , C09D 5/00 C , C09D179/08 Z , H01L 21/30 502 R

Fターム (156件)：

2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AA07 , 2H025AA08 , 2H025AA10 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AD01 , 2H025BC14 , 2H025BC65 , 2H025BC69 , 2H025BC85 , 2H025CA00 , 2H025CA20 , 2H025CA28 , 2H025CA39 , 2H025CA41 , 4J002CM041 , 4J002CP03 , 4J002EE037 , 4J002EE047 , 4J002EE057 , 4J002EH076 , 4J002EL098 , 4J002EL099 , 4J002EN107 , 4J002ES008 , 4J002ET009 , 4J002EU058 , 4J002EU117 , 4J002EU237 , 4J002EV047 , 4J002EV307 , 4J002EZ007 , 4J002FD098 , 4J002FD207 , 4J011QA03 , 4J011QA38 , 4J011QB17 , 4J011QC03 , 4J011SA02 , 4J011SA06 , 4J011SA22 , 4J011SA34 , 4J011SA42 , 4J011SA62 , 4J011SA63 , 4J011SA64 , 4J011SA78 , 4J011SA79 , 4J011SA80 , 4J011SA82 , 4J011SA85 , 4J011SA88 , 4J011TA07 , 4J011UA01 , 4J011UA03 , 4J011UA04 , 4J011UA10 , 4J011VA01 , 4J011WA01 , 4J027AD04 , 4J027AD06 , 4J027AJ01 , 4J027AJ02 , 4J027BA01 , 4J027CA25 , 4J027CA29 , 4J027CA34 , 4J027CB10 , 4J027CC05 , 4J027CC06 , 4J027CC08 , 4J027CD08 , 4J038DJ031 , 4J038GA06 , 4J038JC38 , 4J038KA04 , 4J038PA17 , 4J043PA19 , 4J043PC015 , 4J043PC065 , 4J043QB15 , 4J043QB26 , 4J043QB31 , 4J043RA06 , 4J043SA06 , 4J043SA43 , 4J043SA44 , 4J043SA72 , 4J043SB01 , 4J043TA35 , 4J043TA51 , 4J043TA53 , 4J043TB01 , 4J043UA121 , 4J043UA122 , 4J043UA131 , 4J043UA132 , 4J043UA141 , 4J043UA142 , 4J043UA151 , 4J043UA152 , 4J043UA222 , 4J043UA261 , 4J043UA262 , 4J043UA361 , 4J043UA362 , 4J043UA391 , 4J043UA412 , 4J043UA422 , 4J043UA591 , 4J043UA632 , 4J043UA652 , 4J043UA662 , 4J043UA672 , 4J043UA761 , 4J043UB011 , 4J043UB021 , 4J043UB022 , 4J043UB061 , 4J043UB062 , 4J043UB121 , 4J043UB122 , 4J043UB131 , 4J043UB132 , 4J043UB151 , 4J043UB152 , 4J043UB281 , 4J043UB301 , 4J043UB302 , 4J043UB351 , 4J043UB401 , 4J043UB402 , 4J043VA011 , 4J043VA021 , 4J043VA022 , 4J043VA031 , 4J043VA032 , 4J043VA041 , 4J043VA051 , 4J043VA061 , 4J043VA062 , 4J043VA072 , 4J043VA081 , 4J043VA091 , 4J043VA102 , 4J043YB07 , 4J043YB19 , 4J043YB24 , 4J043YB32 , 4J043ZB22 , 4J043ZB50

引用特許：

審査官引用 (8件)

i線照射によるレリーフ構造体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-124383 出願人：チバ-ガイギーアクチエンゲゼルシャフト, オーシージーミクロエレクトロニクスインコーポレーテッド
ポリイミドのパターン化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-221227 出願人：旭化成工業株式会社
感光性ポリイミド前駆体組成物及びそれを用いたパターン製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-180190 出願人：日立化成工業株式会社

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