特許

J-GLOBAL ID：200903052513544214

基板処理方法及び基板処理装置

発明者： 久保田 仁 ,  早崎 圭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-271511
公開番号（公開出願番号）：特開2009-099856
出願日： 2007年10月18日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：

【課題】被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。【解決手段】本発明の例に関わる基板処理方法は、被処理基板の表面に塗布膜を形成する工程(ST1)と、被処理基板の裏面に対して親水化処理を行う工程(ST2)と、親水化処理を行った後、被処理基板の裏面に洗浄液を供給し、前記被処理基板の裏面を洗浄する工程(ST3)とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理基板の表面に塗布膜を形成する工程と、 前記被処理基板の裏面に対して親水化処理を行う工程と、 前記親水化処理を行った後、前記被処理基板の裏面に洗浄液を供給し、前記被処理基板の裏面を洗浄する工程とを具備することを特徴とする基板処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L21/304 643A ,  H01L21/30 564D

Fターム (16件)：

5F046JA15 ,  5F046JA22 ,  5F157AA15 ,  5F157AA76 ,  5F157AA91 ,  5F157AB02 ,  5F157AB13 ,  5F157AB33 ,  5F157AB90 ,  5F157AC01 ,  5F157BD33 ,  5F157BE12 ,  5F157BE32 ,  5F157BG44 ,  5F157DB15 ,  5F157DB47

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 基板処理装置、及び基板処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-151030   出願人：東京エレクトロン株式会社