特許

J-GLOBAL ID：200903052513616622

薄膜半導体素子の製造方法

発明者： 上田 徹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-025467
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226651
出願日： 1992年02月12日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【構成】液晶表示装置を構成するTFTのソース/ドレインを形成するために行うイオン注入工程時に、走査線2及び蓄積容量5の共通電極を各々相互に接続し、これらをイオン注入機の基板固定用治具を介して接地する。その後、これらの接続を切断し、所望の回路構成を得る。【効果】上記イオン注入工程時に於いて、走査線2及び蓄積容量5の共通電極のチャージアップが防止されるために、TFT3及び蓄積容量5の絶縁膜の絶縁破壊が防止される。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された導電配線とを有する薄膜半導体素子の製造方法であって、相互に電気的に接続された導電性パターンを該絶縁膜上に形成する工程と、該導電性パターンをマスクとして、該マスクに覆われていない該半導体層の部分に不純物イオンを注入する工程と、該導電性パターンの選択された部分を切断することにより、該導電層を形成する工程と、を包含する薄膜半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 311 F ,  H01L 21/265 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭59-105356
  
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-218722   出願人：シヤープ株式会社