特許

J-GLOBAL ID：200903052537716504

薄板基板構造形成用ウエーハ基板、この製造方法およびMEMS素子の製造方法

発明者： 江刺 正喜 ,  安部 隆 ,  李 興華 ,  宮崎 勝
出願人/特許権者： 株式会社メムス・コア
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-275035
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039078
出願日： 2003年07月16日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】 大口径ウエーハプロセス工程に適するフィードスルー構造を有する薄板基板構造形成用ウエーハ基板とこの製造方法およびMEMS素子の製造方法を提供する。【解決手段】 ウエーハプロセスで使われる基板において、本体基板ウエーハと補助支持基板ウエーハを接着層により貼り合せて一体化した構造とし、本体基板ウエーハには表面側に孔と、これに導電材料を埋め込んだ領域を持ち、このウエーハ基板を用いて薄板化することによってフィードスルー領域を有する薄板基板構造形成用ウエーハ基板として、これらを別の基板ウエーハと張り合わせてウエーハレベルで素子を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ウエーハプロセスで使われる基板において、本体基板ウエーハと補助支持基板ウエーハを接着層により貼り合せて一体化した構造であって、本体基板ウエーハには表面側に孔を持ち、導電材料を埋め込んだ領域を持つことを特徴とした薄板基板構造形成用ウエーハ基板。 薄板基板構造。

IPC (5件)：

H01L27/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/02 ,  H01L29/84 ,  H01L49/00

FI (5件)：

H01L27/00 301B ,  B81C1/00 ,  H01L21/02 B ,  H01L29/84 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (24件)：

4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA23 ,  4M112CA33 ,  4M112CA36 ,  4M112DA01 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA05 ,  4M112DA11 ,  4M112DA13 ,  4M112DA16 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA08 ,  4M112EA11 ,  4M112EA13 ,  4M112EA14 ,  4M112EA17 ,  4M112FA09 ,  4M112FA20 ,  4M112GA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光電融合デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-201170   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-033194   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所