特許

J-GLOBAL ID：200903052539912050

イオン注入装置、イオンビ-ム径路形成装置、及び加工物のイオンビ-ム処理方法。

発明者： ビクター マウリス ベンベニステ
出願人/特許権者： イートン コーポレーション
代理人 (1件)： 萼 経夫 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-360948
公開番号（公開出願番号）：特開2000-204470
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
要約：

【要約】【課題】イオン注入装置、イオンビーム径路形成装置、及び加工物のイオンビーム処理方法を提供すること。【解決手段】イオンを加工物の注入表面に衝突させることにより、注入表面を処理するための方法及び装置を構成する。イオン源12によって放出されたイオンが、イオンビーム14を形成するためにイオン源から出て加速される。イオンビーム内のイオンを捕捉するために磁界が作り出され、初期軌道から離れるイオンをほぼ弓状の走査径路内で選択的に偏向する。磁界は、強磁性体の支持体の内面に沿って配置された第1,第2コイルの同期した励磁により作り出される。イオンビーム14は、弓状径路を通ってイオンビームが掃引されるように、時間的に変化する制御された偏向量で初期軌道から離れて偏向され、そして加工物13に衝突する。

請求項（抜粋）：

イオン注入装置が、イオンを放出するイオン源(12)と、このイオン源から離れて取付けられる注入室(18)と、前記イオン源から注入室へのイオンビーム径路を形成する装置とを有しており、このイオンビーム径路を形成する装置が、(a) イオン源と注入室の間のイオンビーム径路に沿って配置され、イオンビーム(14)がイオンビーム走査構造体内に入るとき、イオンビームがたどる入口軌道に対して制御された走査角度において所定の偏向量によりイオンを偏向するためのイオンビーム走査構造体(15)を含み、この構造体が、(i) 強磁性体から作られ、イオンビーム径路の一部分に沿って伸びかつこの径路に関して取り付けられた支持体(120) と、(ii)前記支持体(120) に支持され、電流を導くコイル(110,112) に流れる電流を横切る方向に偏向磁界を作り出し、前記支持体に隣接する偏向領域内でイオンビームを捕捉するための、1つまたはそれ以上の前記コイル(110,112) と、(b) 1つまたはそれ以上の前記コイルに電気接続され、このコイルを制御可能に励磁して磁界を作り出し、この磁界により、加工物処理ゾーンの異なる部分を捕捉するために制御された走査角度に沿ってイオンビームを走査するためのコントローラ(50)とを備えていることを特徴とする装置。

IPC (3件)：

C23C 14/48 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/265 603

FI (3件)：

C23C 14/48 B ,  H01J 37/317 A ,  H01L 21/265 603 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 重イオンビームの高速の磁気走査
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-502238   出願人：日新電機株式会社
• 特公平7-093121
  
• 特公平7-093121