特許
J-GLOBAL ID：200903052558982603

薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
中西 史朗

中西 史朗 について

, 
小田 信彦

小田 信彦 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-266706
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111990
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 薄膜トランジスタの層間絶縁膜に設けるコンタクトホールの形状を改善する。【解決手段】 ゲート電極22が配置された透明基板21上に、ゲート絶縁膜となる窒化シリコン膜23及び酸化シリコン膜24が積層され、さらに、活性領域となる半導体膜としての多結晶シリコン膜25が積層される。ゲート電極22に対応する多結晶シリコン膜25上に、ストッパ26が配置され、このストッパ26を被うように、酸化シリコン膜27、窒化シリコン膜28及び酸化シリコン膜29が層間絶縁膜として積層される。ソース領域25s及びドレイン領域25dに対応して層間絶縁膜にコンタクトホール30が形成され、このコンタクトホール30を通してソース電極31s及びドレイン電極31dが配置される。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の一主面上に配置されたゲート電極と、前記基板上に前記ゲート電極を被って積層されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に積層される半導体膜と、前記半導体膜上に積層される層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通して前記半導体膜に接続される電極と、を有し、前記層間絶縁膜は、窒化シリコン膜及びこの窒化シリコン膜を挟む第1及び第2の酸化シリコン膜を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L 29/78 617 U ,  H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 627 A ,  H01L 29/78 627 Z
引用特許：
審査官引用 (11件)
  • 特開平2-303071
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-352962   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-348260   出願人：富士通株式会社
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM