特許
J-GLOBAL ID：200903037239339154

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-352962
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223804
出願日： 1996年12月13日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：
【要約】【課題】 層間絶縁膜からの水分や不純物の進入を防止し、さらに薄膜トランジスタと画素電極や配線との間に形成される容量の低減する。【解決手段】 層間絶縁膜116として低い比誘電率を有する樹脂材料を用いる。またその下面は、酸化珪素膜115が全面に接するようにする。このようにすることで、表面を平坦にでき、さらに薄膜トランジスタと画素電極との間に形成される容量を低減できるという効果が得られる。さらに、樹脂材料の下面に不純物イオンや水分が侵入し、半導体装置全体の信頼性を低下させるという問題を回避することができる。
請求項（抜粋）：
半導体素子の上方に配置された樹脂材料でなる層間絶縁膜を有し、前記層間絶縁膜が形成される下地の全面は、酸化珪素膜または窒化珪素膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336
FI (8件)：
H01L 29/78 613 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 W ,  H01L 29/78 617 A ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 F
引用特許：
審査官引用 (11件)
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