特許

J-GLOBAL ID：200903052572042443

導体用研磨液及びこれを用いた研磨方法

発明者： 倉田 靖 ,  上方 康雄 ,  内田 剛 ,  寺崎 裕樹
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 穂高 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-063906
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270546
出願日： 2001年03月07日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】 銅及び銅合金配線の研磨キズ発生を抑制し、低砥粒濃度においてバリア層となる導体として用いられるタンタルやタンタル合金及び窒化タンタルやその他のタンタル化合物を高い研磨速度で研磨可能で、かつ二酸化シリコンを高い研磨速度で研磨でき、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターン形成を可能とする導体用研磨液及びこれを用いた研磨方法を提供する。【解決手段】 砥粒、導体の酸化剤、金属表面に対する保護膜形成剤、酸及び水を含有する研磨液であり、砥粒が、一次粒子が平均2粒子未満しか凝集していない平均粒径が70nm以下の2次粒子からなる粒子である導体用研磨液。

請求項（抜粋）：

砥粒、導体の酸化剤、金属表面に対する保護膜形成剤、酸及び水を含有する研磨液であり、砥粒が、一次粒子が平均2粒子未満しか凝集していない平均粒径が70nm以下の2次粒子からなる粒子であることを特徴とする導体用研磨液。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14

FI (4件)：

H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 研磨用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-280592   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 半導体平坦化CMP技術, 19980715, 初版