特許
J-GLOBAL ID：200903065079525065

研磨用組成物

発明者：
井 上 穣

井 上 穣 について

, 
庭 野 裕

庭 野 裕 について


出願人/特許権者：
株式会社フジミインコーポレーテッド

株式会社フジミインコーポレーテッド について


代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-280592
公開番号（公開出願番号）：特開平11-116942
出願日： 1997年10月14日
公開日（公表日）： 1999年04月27日
要約：
【要約】【課題】 シリコン半導体ウェーハの鏡面研磨において、Hazeレベルおよび表面粗さ改善特性を低下させることなく、ウェーハ表面に付着するパーティクルを低減させることができる、シリコン半導体ウェーハ用の研磨用組成物の提供。【解決手段】 下記の(a)〜(e)、または(a)〜(c)および(d’)、を含んでなることを特徴とするシリコン半導体ウェーハの研磨用組成物。(a)二酸化ケイ素(b)水(c)水溶性高分子化合物(d)塩基性化合物(e)アルコール性水酸基を1〜10個有する化合物(d’)アルコール性水酸基を1〜10個有する含窒素塩基性化合物
請求項（抜粋）：
下記の(a)〜(e)を含んでなることを特徴とするシリコン半導体ウェーハの研磨用組成物。(a)二酸化ケイ素、(b)水、(c)水溶性高分子化合物、(d)塩基性化合物、および(e)アルコール性水酸基を1〜10個有する化合物。
IPC (3件)：
C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  H01L 21/304 321
FI (4件)：
C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 J ,  C09K 3/14 550 M ,  H01L 21/304 321 P
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (13件)
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