特許
J-GLOBAL ID：200903052574182161
炭素含有層の付着強化と酸化最小限化のためのプラズマ処理
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-183477
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060584
出願日： 2000年06月19日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、一般に、追加層を堆積することなく、炭素含有層の改善された付着及び酸化抵抗を提供する。【解決手段】 一態様において、本発明は、シリコンカーバイドのような炭素含有材料の露出表面を、ヘリウム(He)、アルゴン(Ar)又は他の不活性ガスプラズマや、一酸化二窒素(N2O)プラズマのような酸素含有プラズマで処理する。その他の炭素含有材料としては、有機高分子材料、アモルファス炭素、アモルファスフルオロ炭素及び他の炭素含有材料が含まれる。フ ゚ラス ゙マ処理は、処理される層の堆積に引き続きインサイチュで行われることが好ましい。堆積及びフ ゚ラス ゙マ処理がインサイチュで行われるプロセッシングチャンバは、炭素含有層と同一又は類似の前駆体が送られるよう構成されることが好ましい。しかしながら、層は異種の前駆体で堆積され得る。また、本発明は、処理プラズマを発生させるプロセッシング様式及びその処理フ ゚ラス ゙マを使うシステムを提供する。炭素含有層は、バリア層、エッチストップ、ARC、保護層及び誘電層等の様々な層に使用可能である。
請求項（抜粋）：
炭素含有層を処理プラズマに露射する工程を備える、基板上の炭素含有層を堆積後に処理する方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/205
, H01L 21/768
H01L 21/302 N
, H01L 21/205
, H01L 21/90 P
