特許
J-GLOBAL ID：200903052575165260
半導体集積回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-275887
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114462
出願日： 1998年09月29日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】 GNDラインと分離領域とのコンタクトは、ストライプ状に長い範囲でコンタクトして有るため、抵抗値が高くまた配線を行う上で融通性がない問題があった。【解決手段】 配線を三層配線とし、3層目にグランドラインを設ければ、下層には配線や半導体素子を配置できるため、パターンの融通性が向上する。また接続すべきコンタクトの上の絶縁膜に、所定のピッチでコンタクト35、36を開け、このコンタクトを介してグランドライン25を設ける。コンタクト35とコンタクト36の間には、半導体素子や別の配線が配置できるので、パターン設計上の融通性が向上する。更には、分離領域で囲まれる半導体素子の都合により、グランドラインの下層に分離領域が配置できない場合でも、分離領域とグランドラインとの接続が可能となる。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板に積層された逆導電型の半導体層と、前記半導体層表面から前記半導体基板まで到達する一導電型の分離領域と、前記分離領域で囲まれたアイランドに形成された複数の半導体素子と、前記半導体層表面に形成される第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記半導体素子と電気的に接続される第1層配線と、前記第1配線層を覆う第2の絶縁膜上に形成された第2層配線と、前記第2配線層を覆う第3の絶縁膜上に形成された第3層配線とを有し、前記第3層配線には、一方の方向に統一された電源ラインおよびグランドラインが設けられ、前記グランド配線と隣接した領域に設けられた分離領域は、この分離領域を複数箇所で露出するコンタクト列を有し、前記コンタクト列のコンタクトは、前記分離領域とコンタクトし前記グランドラインの下層に延在される一層目の配線と、前記グランドライン下にある前記一層目の配線と電気的に接続し、前記グランドラインに沿って延在され、その延在された端部で前記グランドラインとコンタクトする第2層目の配線とで成ることを特長とした半導体集積回路装置。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/82
H01L 27/04 D
, H01L 21/82 L
5F038AV05
, 5F038BE09
, 5F038CA04
, 5F038CD02
, 5F038CD05
, 5F038CD12
, 5F064AA03
, 5F064AA04
, 5F064CC02
, 5F064DD20
, 5F064EE03
, 5F064EE16
, 5F064EE23
, 5F064EE26
, 5F064EE27
, 5F064EE42
, 5F064EE52
