特許

J-GLOBAL ID：200903052615384386

表示装置の製造法

発明者： 井上 俊輔 ,  渡辺 高典 ,  光地 哲伸 ,  宮脇 守
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 西山 恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-253970
公開番号（公開出願番号）：特開2001-125142
出願日： 1994年06月20日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 十分高いキャリア移動度を持ち、十分高いサブスレッシュホールド領域の電流の立ち上がり特性持ったポリシリコンを用いた表示装置の製造法を提供すること。【解決手段】 p-SiTFTのキャリア移動度は十分高いとはいえず、サブスレッシュホールド領域の電流の立ち上がり特性も不十分なものであった。複数の信号線と複数の走査線の交点に対応して多結晶シリコンを半導体層に用いた薄膜トランジスタを配して構成したアクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基板に対向する対向基板と、の間に液晶を挟持してなる液晶を用いた表示装置の製造法において、前記アクティブマトリクス基板の製造工程は、基板上に水素の拡散を抑制する第一の膜を設け、該第一の膜上に多結晶シリコンを設け、該多結晶シリコン上に該多結晶シリコンに水素を供給する第二の膜を設ける工程を有することを特徴とする表示装置の製造法。

請求項（抜粋）：

複数の信号線と複数の走査線の交点に対応して多結晶シリコンを半導体層に用いた薄膜トランジスタを配して構成したアクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基板に対向する対向基板と、該両基板の間に液晶を挟持してなる表示装置の製造法において、前記アクティブマトリクス基板の製造工程は、基板上に水素の拡散を抑制する第一の膜を設け、該第一の膜上に多結晶シリコンを設け、該多結晶シリコン上に該多結晶シリコンに水素を供給する第二の膜を設ける工程を有することを特徴とする表示装置の製造法。

IPC (5件)：

G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 342 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

G09F 9/00 342 Z ,  G09F 9/30 338 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-299317
  
• 特開平3-293719
  
• 特開平4-298722
  
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-285016   出願人：ソニー株式会社