特許
J-GLOBAL ID：200903052631352885
温度制御型半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-174599
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022581
出願日： 1996年07月04日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】冷却能力の劣化を招くことなしに、はんだクリープに起因する光軸ずれを抑制する。【解決手段】モジュールパッケージ11の底板12およびペルチエクーラ13の低温側基板13aに、それぞれペルチエクーラ・ストッパ14およびキャリア基板・ストッパ16を備えている。これにより、はんだクリープによるペルチエクーラ13およびキャリア15の位置変動が抑制される。また、低温側基板13aおよび高温側基板13bの間に熱的干渉はないため、冷却能力の劣化は生じない。
請求項（抜粋）：
半導体レーザと、該半導体レーザをその上面に搭載するキャリア基板と、該キャリア基板をはんだ実装によりその上側基板上に固定した前記半導体レーザの温度を制御するためのペルチエクーラと、該ペルチエクーラの下側基板をはんだ実装によりその底板上面上に固定したモジュールパッケージと、前記半導体レーザからの出射光を前記モジュールパッケージの外部に導出するための手段を具備する温度制御型半導体レーザ装置において、前記ペルチエクーラの上側基板上に前記キャリア基板の位置変動を抑制するための段差部を有し、前記モジュールパッケージの底板上面上に前記ペルチエクーラの位置変動を抑制するための段差部を有することを特徴とする温度制御型半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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