特許

J-GLOBAL ID：200903052639449942

光パターン化されたゲート誘電体を備えた有機電界効果トランジスタ、その製造法および有機電子工学における使用

発明者： アードルフ ベルンツ ,  ヴァルター フィックス ,  ヘニング ロスト
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (5件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-564769
公開番号（公開出願番号）：特表2004-518305
出願日： 2002年01月29日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

本発明は、殊に架橋されかつパターン化された絶縁層(4)を示し、この絶縁層上にゲート電極(5)が配置されている、有機電界効果トランジスタに関する。OFETの構造は、OFETのゲート電極(5)が同時に直ぐ次のトランジスタのソース電極(2)に対する導体路として利用されることができ、ひいては大型の回路の構成のために利用されることができることを保証する。

請求項（抜粋）：

有機電界効果トランジスタにおいて、可撓性の基板(1)上で第1の層中にソース電極およびドレイン電極(2、2′)ならびに半導体(3)が配置されており、この半導体上で第2の層中に絶縁体(4)がパターン化されて形成されており、第3の層中にゲート電極(5)が付着されていることを特徴とする、有機電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (7件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/28

Fターム (15件)：

5F110AA16 ,  5F110BB20 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-202866
  
• 半導体チャネルとして有機/無機混成材料を有する薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-050047   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
• 特開平1-202866
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "High-performance all-polymer integrated circuits"