特許
J-GLOBAL ID：200903063099830368
半導体チャネルとして有機/無機混成材料を有する薄膜トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-050047
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260999
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体チャネルとして有機/無機混成材料を使用する改良型FET構造を提供すること。【解決手段】 本発明によるFET構造は、デバイスのソース電極34とドレーン電極36の間に半導体チャネルとして有機/無機混成材料32を使用する。有機/無機材料は、無機の結晶性固体と有機材料の利点を兼ね備える。無機成分は拡張された無機の一次元、二次元または三次元ネットワークを形成して、無機の結晶性固体の高いキャリア移動度特性を提供する。有機成分はこれらの材料の自己アセンブリを促進し、スピン・コーティング、浸漬コーティング、熱蒸着などの簡単な低温処理条件で材料を付着できるようにする。また有機成分は、無機成分の次元および無機ユニット間の電子結合を定義することにより無機骨格の電子特性を調整するのにも使用される。
請求項（抜粋）：
ソース領域およびドレーン領域と、半導体の有機/無機混成材料を含み、前記ソース領域と前記ドレーン領域の間を延びるチャネル層と、前記チャネル層に隣接して間隔をあけて配設されたゲート領域と、前記ゲート領域と前記ソース領域、前記ドレーン領域および前記チャネル層との間の電気絶縁層とを備える電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 27/12
, H01L 51/00
H01L 29/78 618 B
, H01L 27/12 E
, H01L 29/28
