特許
J-GLOBAL ID:200903052650320250
誘電体セラミック組成物及びセラミック電子部品
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-286382
公開番号(公開出願番号):特開2001-106570
出願日: 1999年10月07日
公開日(公表日): 2001年04月17日
要約:
【要約】【課題】 低温焼結でき、電気特性、温度特性に優れた高誘電率の誘電体セラミック組成物を提供すること。【解決手段】 一般式:Ba{(Co<SB>x</SB>Zn<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>Nb<SB>1-y</SB>}<SB>z</SB>Oω(但し、0<x<1、0.313≦y<0.333、0.993≦z<1、ωは任意の数)で表される誘電体セラミック成分100重量部に、SiO<SB>2</SB>-B<SB>2</SB>O<SB>3</SB>系ガラス成分を1〜15重量部添加、混合してなる誘電体セラミック組成物。
請求項(抜粋):
一般式:Ba{(Co<SB>x</SB>Zn<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>Nb<SB>1-y</SB>}<SB>z</SB>Oω(但し、0<x<1、0.313≦y<0.333、0.993≦z<1、ωは任意の数)で表される誘電体セラミック成分に少なくとも酸化ケイ素、酸化ホウ素を含有するガラス成分を混合してなることを特徴とする、誘電体セラミック組成物。
IPC (4件):
C04B 35/495
, H01G 4/12 310
, H01G 4/40
, H05K 3/46
FI (6件):
H01G 4/12 310
, H05K 3/46 H
, H05K 3/46 Q
, H05K 3/46 T
, C04B 35/00 J
, H01G 4/40 321 A
Fターム (62件):
4G030AA02
, 4G030AA03
, 4G030AA04
, 4G030AA10
, 4G030AA14
, 4G030AA20
, 4G030AA28
, 4G030AA32
, 4G030AA35
, 4G030AA36
, 4G030AA37
, 4G030BA09
, 5E001AB03
, 5E001AC09
, 5E001AC10
, 5E001AE00
, 5E001AE02
, 5E001AE04
, 5E001AH01
, 5E001AH05
, 5E001AH06
, 5E001AH08
, 5E001AH09
, 5E001AJ01
, 5E001AJ02
, 5E001AZ01
, 5E082AA01
, 5E082AB03
, 5E082BB01
, 5E082BB05
, 5E082BC14
, 5E082DD08
, 5E082EE04
, 5E082EE23
, 5E082EE26
, 5E082EE35
, 5E082FG06
, 5E082FG22
, 5E082FG26
, 5E082FG27
, 5E082FG54
, 5E082GG10
, 5E082JJ15
, 5E082LL03
, 5E082MM22
, 5E082MM24
, 5E082PP03
, 5E346AA13
, 5E346AA15
, 5E346BB01
, 5E346BB20
, 5E346CC18
, 5E346CC21
, 5E346CC32
, 5E346CC38
, 5E346CC39
, 5E346DD02
, 5E346DD07
, 5E346DD34
, 5E346EE24
, 5E346GG03
, 5E346HH01
引用特許:
審査官引用 (3件)
-
高周波用誘電体磁器組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-175539
出願人:株式会社村田製作所
-
セラミックコンデンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-182647
出願人:株式会社東芝
-
セラミック基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-005196
出願人:株式会社村田製作所
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