特許

J-GLOBAL ID：200903052654039955

絶縁膜の形成方法及び半導体装置

発明者： 工藤 寛 ,  篠原 理華
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-115580
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316231
出願日： 1995年05月15日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 絶縁膜の形成方法及び半導体装置に関し、原料ガスの種類に依存することなく、経時的に安定した特性を有する低誘電率のPCVD-SiOF膜を設けた半導体装置を得る。【構成】 絶縁膜を形成する原料ガスとして、Si供給用ガス(図1の22,28)、酸素供給用ガス(図1の13,16)、及び、フッ素供給用ガス(図1の10,19,25)を用いると共に、得られたSiOF膜の密度が2.25g/cm3 以上となる成膜条件のプラズマ化学気相成長法を用いてSiOF膜を形成する。

請求項（抜粋）：

プラズマ化学気相成長法を用いた絶縁膜の形成方法において、絶縁膜を形成する原料ガスとして、Si供給用ガス、酸素供給用ガス、及び、フッ素供給用ガスを用いると共に、得られた前記絶縁膜の密度が2.25g/cm3 以上であることを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 誘電体及びその製造方法並びに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-040929   出願人：株式会社日立製作所