不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019162
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223676
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】不揮発性半導体記憶装置に係り、特に、電気的に書き込み及び消去可能なMOS型半導体記憶装置及びその製造方法に関し、メモリセルの高集積化に伴うトランジスタのスケーリング則による素子特性の不安定性を増加させることなく、メモリの読み出しと書き込み時間を短縮できる不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】メモリ素子に縦型MOSトランジスタを採用し、溝開口部の周辺長をドレインとソース領域で変え、コントロールゲートとフローティングゲート間静電容量とドレインの寄生容量がソースの寄生容量より充分大となる構成とする。

請求項（抜粋）：

一導電型半導体基板表面に画定されたひとつの素子領域において、該基板表面に形成された逆導電型のソース層と、該ソース層表面に形成された一導電型半導体層と、該一導電型の半導体層表面に形成されたドレイン層と、該ドレイン層と前記一導電型の半導体層とをいずれも貫通し、前記ソース層に達する溝と、該溝の内壁を覆うように形成された第1絶縁層と、該溝内において該第1絶縁層表面を覆うように形成された第1導体層と、該溝内において該第1導体層表面を覆うように形成された第2絶縁層と、該溝内において該第2絶縁層を覆うように形成された第2導体層とを有し、前記溝の少なくとも前記ドレイン層上面での開口部の周辺長が、該溝の前記ソース層上面での開口部の周辺長より大であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Fターム (30件)：

5F001AA01 , 5F001AA30 , 5F001AB02 , 5F001AB09 , 5F001AD13 , 5F001AD15 , 5F001AD24 , 5F001AG02 , 5F001AG10 , 5F001AG12 , 5F001AG26 , 5F083EP02 , 5F083EP03 , 5F083EP22 , 5F083EP62 , 5F083EP67 , 5F083ER04 , 5F083ER14 , 5F083ER16 , 5F083ER22 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR12 , 5F083PR25 , 5F083PR36

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭53-099885
半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-022388 出願人：株式会社日立製作所
垂直なフローティングゲート・トランジスタを有するメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-007150 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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