半導体装置、その設計方法、及びその設計プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-257979
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085614
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】金属配線とヴィアコンタクトの接触不良が少なく、且つ、集積度の高い半導体装置及びその設計方法を提供する。【解決手段】ヴィアコンタクト(1、2)と、終端においてヴィアコンタクトに接続する主配線(3〜6)とを有する半導体装置において、主配線の配線方向に対して平行な方向にのみ主配線の終端に続けてヴィアコンタクトから張り出して配置された、線幅が主配線と同じあるいは主配線より狭いカバレッジ配線(7〜10)を有している。線幅が主配線と同じあるいは狭いカバレッジ配線を設けることで、主配線の終端において丸めの発生を抑えることができる。また、ヴィアコンタクト周辺において主配線の線幅の広がりを抑えることができるため、ヴィアコンタクトに隣接する設計グリッドあるいはグリッド点上に、他の主配線あるいは他のヴィアコンタクトをデザインルールに違反することなく、配置することができる。

請求項（抜粋）：

ヴィアコンタクトと、終端において前記ヴィアコンタクトに接続する主配線とを有する半導体装置において、前記主配線の配線方向に対して平行な方向にのみ該主配線の終端に続けて前記ヴィアコンタクトから張り出して配置された、線幅が該主配線と同じあるいは該主配線より狭いカバレッジ配線をさらに有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/00 , G06F 17/50 , H01L 21/82 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 27/00 , G06F 15/60 658 J , H01L 21/82 C , H01L 21/90 B

Fターム (14件)：

5B046AA08 , 5B046BA06 , 5B046CA04 , 5B046DA02 , 5B046FA12 , 5F033MM21 , 5F033UU04 , 5F033XX09 , 5F064EE02 , 5F064EE08 , 5F064EE20 , 5F064EE26 , 5F064EE27 , 5F064HH06

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-074847 出願人：日本電気株式会社

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