特許
J-GLOBAL ID：200903052677780113

等電子コドーピング

発明者：
マスキャレンハス、アンジェロ

マスキャレンハス、アンジェロ について


出願人/特許権者：
ミッドウエスト リサーチ インスティチュート

ミッドウエスト リサーチ インスティチュート について


代理人 (4件)： 朝日奈 宗太 ,  佐木 啓二 ,  秋山 文男 ,  田中 弘
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-564767
公開番号（公開出願番号）：特表2004-537159
出願日： 2001年02月09日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：
深いアクセプターと深いドナーでの半導体化合物および合金の等電子コドーピングが、バンドギャップを低減するため、得られる合金中のドーパント成分濃度を高めるため、およびキャリア移動度寿命を長くするために使用される。GaAsおよびGaPのようなIII-V族化合物および合金は、太陽電池、熱光起電電池、発光ダイオード、光検出器およびレーザを、GaP、InP、GaAs、GeおよびSi基板上に特製するために、たとえばチッ素およびビスマスで等電子的にコドープされる。等電子的にコドープされたII-VI族化合物および合金も、本発明に含まれる。
請求項（抜粋）：
独占的な所有および特権を請求する本発明の態様を、以下に示す。
IPC (6件)：
H01L31/04 ,  H01L27/14 ,  H01L31/10 ,  H01L33/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/343
FI (6件)：
H01L31/04 E ,  H01L33/00 B ,  H01S5/183 ,  H01S5/343 ,  H01L31/10 A ,  H01L27/14 K
Fターム (29件)：
4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118BA06 ,  4M118CA03 ,  4M118CA14 ,  4M118CB02 ,  4M118GA10 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA57 ,  5F041CB15 ,  5F049MA01 ,  5F049MB07 ,  5F049SS04 ,  5F051AA02 ,  5F051AA08 ,  5F051AA16 ,  5F051DA03 ,  5F051DA17 ,  5F051DA19 ,  5F073AA46 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB16
引用文献：
審査官引用 (1件)

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