特許
J-GLOBAL ID：200903052684452156
薄膜型圧電センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-352567
公開番号（公開出願番号）：特開2004-184274
出願日： 2002年12月04日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】良好な圧電性を有する、小型で耐熱性に優れた低価格の薄膜型圧電センサを提供する。【解決手段】基板1表面に、下地層2、圧電薄膜層3、および上部電極4をこの順に積層して形成された薄膜型圧電センサの、圧電薄膜層3にキュリー温度の存在しない窒化アルミニウム(AlN)や酸化亜鉛(ZnO)もしくはこれら薄膜材料と同効の圧電材料を用いることにより薄膜型圧電センサの耐熱性や耐久性を良好なものとする。また、圧電薄膜層3中の結晶の双極子配向度を制御して、75%以上とすることにより圧電性が保証される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板表面に、第1の電極層、圧電層、および第2の電極層をこの順に積層して形成された薄膜型圧電センサであって、
上記圧電層が、キュリー温度が存在しない圧電材料からなり、その双極子配向度が75%以上であることを特徴とする薄膜型圧電センサ。
IPC (3件)：
G01L1/16
, H01L41/08
, H01L41/18
G01L1/16 C
, G01L1/16 A
, H01L41/08 Z
, H01L41/18 101Z
