特許
J-GLOBAL ID：200903052722774022
半導体デバイスの解析装置及び方法
発明者：
出願人/特許権者：
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公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-164086
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349927
出願日： 1993年06月08日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体デバイスの故障箇所の要因が高分解能で把握される事を可能とする。【構成】 反射鏡20はストッパS1側に切換えられる。第1レーザー光源1からのレーザービームで半導体デバイス上を2次元的に走査する。該半導体デバイスからの光起電流に対応した信号は、AD変換器11を介してCPU12に入力される。フレームメモリ14には、半導体デバイス5の光起電流像の各位置及び光起電流がデジタル化して記憶される。陰極線管画面上には光起電流像が表示される。該光起電流像中に他の正常部と見分けが付くように故障箇所が表れている。光路切換器19をストッパS1側に切り換え、第2レーザー光源18からのレーザービームを反射鏡20を介して半導体デバイス5上の前記故障箇所上に照射し、該半導体デバイス5上の最表面にマークを付ける。
請求項（抜粋）：
第1レーザー光源、半導体デバイス上を前記第1レーザー光源からのレーザビームで2次元的に走査する手段、前記半導体デバイスによる光起電流に伴う信号を検出する電流検出手段、前記電流検出手段の出力に基づく光起電流像を表示する表示手段、及び、該光起電流像中に表れた故障箇所に対応した前記半導体デバイス上の位置にマークを付すためのレーザビームを発生するマーキング用レーザ光源を備えた半導体デバイス解析装置。
引用特許：
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