特許
J-GLOBAL ID：200903052739989014
セラミック回路基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
津国 肇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-067666
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260544
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 導体層の低抵抗化、絶縁層と導体層の収縮率がマッチングした高い位置精度、導体層と絶縁体層との密着性が強固で、反りや断線等の生じにくいという高信頼性を有する、とくに同時焼結による一層配線や多層配線を有する高熱伝導性AlNセラミック回路基板の提供。【解決手段】 AlNを主成分とする絶縁体部2と、W、Moの少なくとも一種を主成分とし、Ni、CoおよびFeからなる群より選択される一種以上の元素を含有し、更にAlNを0.1〜20重量%含有する導体層部3とを、少なくともその一部に有することを特徴とする回路基板1。
請求項（抜粋）：
AlNを主成分とする絶縁体部と、W、Moの少なくとも一種を主成分とし、Ni、CoおよびFeからなる群より選択される一種以上の元素を含有し、更にAlNを0.1〜20重量%含有する導体部とを、少なくともその一部に有することを特徴とする回路基板。
引用特許：
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