特許

J-GLOBAL ID：200903052746040658

III族窒化物半導体の製造方法

発明者： 真部 勝英 ,  小池 正好 ,  加藤 久喜 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-354572
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202265
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】AlxGaYIn1-X-YN(X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) で表されるIII 族窒化物半導体の基板を容易に製造すること。【構成】第1に、サファイア基板の両面に酸化亜鉛(ZnO)から成る中間層を形成する。第2に、そのサファイア基板の両面に形成さた2つの中間層の上にIII 族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなる2つの半導体層を形成する。第3に、酸化亜鉛のみをエッチングする溶液を用いた湿式エッチングにより2つの中間層だけを除去することで、2つの半導体層をサファイア基板から剥離させて、III 族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む) からなる半導体を得る。

請求項（抜粋）：

サファイア基板の両面に酸化亜鉛(ZnO)から成る中間層を形成し、サファイア基板の両面に形成された中間層の上にIII 族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなる2つの半導体層を形成し、酸化亜鉛のみをエッチングする溶液を用いた湿式エッチングにより2つの前記中間層だけを除去することで、2つの前記半導体層を前記サファイア基板から剥離させて、III 族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなる2枚の半導体を得る製造方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 熱応力によって誘発された亀裂を実質的に含まないCVDダイヤモンド薄膜の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-329754   出願人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
• 特開平3-183700