シリカ系膜の形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：白井重隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-011088
公開番号（公開出願番号）：特開2001-206710
出願日： 2000年01月20日
公開日（公表日）： 2001年07月31日
要約：

【要約】【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、低密度、低誘電率、高弾性率、低吸水率のシリカ系膜を提供する。【解決手段】 (A)ポリシロキサン、(B)有機ポリマーおよび(C)有機溶媒を含むコーティング組成物を基板に塗布し、有機溶媒を除去したのち、真空または不活性ガス雰囲気下で250〜400°Cに加熱し、次いで酸素分圧1Pa以上の雰囲気下で250〜400°Cに加熱し、さらに酸素分圧1Pa未満の雰囲気下で350〜470°Cに加熱し、シリカ系膜を得る。

請求項（抜粋）：

(A)ポリシロキサン、(B)有機ポリマーおよび(C)有機溶媒を含むコーティング組成物を基板に塗布し、有機溶媒を除去したのち、真空または不活性ガス雰囲気下で250〜400°Cに加熱し、次いで酸素分圧1Pa以上の雰囲気下で250〜400°Cに加熱し、さらに酸素分圧1Pa未満の雰囲気下で350〜470°Cに加熱することを特徴とするシリカ系膜の形成方法。

IPC (4件)：

C01B 33/12 , C09D183/00 , H01L 21/312 , H01L 21/316

FI (4件)：

C01B 33/12 C , C09D183/00 , H01L 21/312 C , H01L 21/316 G

Fターム (54件)：

4G072AA28 , 4G072BB09 , 4G072CC13 , 4G072FF01 , 4G072FF02 , 4G072FF04 , 4G072FF09 , 4G072GG03 , 4G072HH29 , 4G072HH30 , 4G072JJ11 , 4G072JJ13 , 4G072JJ47 , 4G072KK01 , 4G072KK07 , 4G072KK09 , 4G072KK17 , 4G072LL11 , 4G072LL13 , 4G072LL14 , 4G072LL15 , 4G072MM01 , 4G072NN21 , 4G072PP17 , 4G072RR05 , 4G072UU01 , 4G072UU30 , 4J038CG002 , 4J038DD002 , 4J038DE002 , 4J038DF002 , 4J038DL031 , 4J038HA236 , 4J038JA35 , 4J038JB01 , 4J038JC13 , 4J038JC38 , 4J038KA06 , 4J038NA07 , 4J038NA11 , 4J038NA17 , 4J038NA21 , 4J038PA19 , 4J038PB09 , 4J038PC02 , 4J038PC03 , 4J038PC04 , 5F058AA04 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH01 , 5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (1件)

膜形成用組成物、膜の形成方法および多孔質膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-135784 出願人：ジェイエスアール株式会社

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