特許

J-GLOBAL ID：200903052778323279

絶縁薄膜の形成方法、絶縁薄膜の形成装置、電界放射型電子源およびMOSFET

発明者： 櫟原 勉 ,  菰田 卓哉 ,  相澤 浩一 ,  本多 由明 ,  渡部 祥文 ,  幡井 崇 ,  竹川 宜志 ,  馬場 徹
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-329908
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133309
出願日： 2001年10月26日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】従来に比べて絶縁耐圧の高い絶縁薄膜を形成する絶縁薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】電気化学的な方法でシリコン結晶の表面に基礎となる絶縁性薄膜(シリコン酸化膜)を形成した後、図1に示すような温度プロファイルの熱処理工程を行うことにより、所望の絶縁薄膜(シリコン酸化膜)を得ている。熱処理工程では、ランプアニール装置を用い、図1に示すように、絶縁性薄膜に含まれている水分が突沸しないで除去されるように設定した第1の設定温度T1および昇温速度で第1の熱処理を行い、その後、第1の設定温度T1よりも高く絶縁性薄膜の構造緩和が起こるように設定した第2の設定温度T2で第2の熱処理を行うことにより所望の絶縁薄膜を得ている。

請求項（抜粋）：

半導体結晶の表面に電気化学的な方法で基礎となる絶縁性薄膜を形成した後、絶縁性薄膜に含まれている水分が突沸しないで除去されるように設定した第1の設定温度および昇温速度で第1の熱処理を行い、その後、第1の設定温度よりも高く絶縁性薄膜の構造緩和が起こるように設定した第2の設定温度で第2の熱処理を行うことにより所望の絶縁薄膜を得ることを特徴とする絶縁薄膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01J 1/312 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786

FI (6件)：

H01L 21/316 T ,  H01L 21/316 S ,  H01J 1/30 M ,  H01L 29/78 301 F ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 617 V

Fターム (29件)：

5F058BA01 ,  5F058BC02 ,  5F058BF55 ,  5F058BF56 ,  5F058BF71 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA12 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110FF02 ,  5F110FF22 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG14 ,  5F110GG17 ,  5F140AA19 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BD06 ,  5F140BE07 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17 ,  5F140BE19 ,  5F140CB01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電界放射型電子源およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-016388   出願人：松下電工株式会社