特許
J-GLOBAL ID：200903022041476981
電界放射型電子源およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-016388
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210224
出願日： 2000年01月26日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】【課題】電子放出効率が高く且つ熱的な安定性が高い電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。【解決手段】電界放射型電子源10は、ガラス基板よりなる絶縁性基板11の一表面上にタングステンよりなる導電性層8が形成され、該導電性層8上に半導体結晶層たるn形多結晶シリコン層9が形成され、n形多結晶シリコン層9上にノンドープの多結晶シリコン層3が形成され、多結晶シリコン層3上に酸化した多孔質多結晶シリコンよりなる強電界ドリフト層6が形成され、強電界ドリフト層6上に表面電極7が形成されている。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板の一表面上に形成された導電性層と、導電性層上に形成された半導体結晶層と、該半導体結晶層の表面側に形成された酸化若しくは窒化した多孔質半導体層よりなる強電界ドリフト層と、強電界ドリフト層上に形成された表面電極とを備え、表面電極を導電性層に対して正極として電圧を印加することにより導電性層から注入された電子が強電界ドリフト層をドリフトし表面電極を通して放出される電界放射型電子源であって、上記半導体結晶層は、低抵抗の半導体よりなることを特徴とする電界放射型電子源。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 9/02 M
, H01J 1/30 M
