特許
J-GLOBAL ID：200903052780449573
低または中電流型の注入装置を用いる高エネルギーの注入方法およびこれに対応する装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-526116
公開番号（公開出願番号）：特表平8-511658
出願日： 1995年04月05日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：
【要約】中電流型のイオン注入装置の注入エネルギーを増加するために、6GHz以上の周波数を持つ電磁場を発生する進行波管を持つマイクロ波発生器は、注入装置内に配置されている。注入装置の最初のイオンソースは、キャビティーの横平面の特性寸法(D)が電磁場の波長と同一のオーダーの大きさである、導波管を形成するプラズマキャビティー(21)を含む電子サイクロトロン共鳴の多重充電イオンソース(3)によって置き換えられている。マイクロ波発生器および多重充電イオンソースのプラズマキャビティーは、電磁的に結合されている。所望のイオンのビームに匹敵する複合ガス状媒体は、プラズマキャビティーへの流入が許容され、ガス状媒体の流入率は、多重充電イオンの製造に適合する圧力閾値よりも小さいプラズマキャビティー内の残留真空を維持するように調整されている。そして、プラズマキャビティーから抽出されるイオンビームの焦点合わせは、注入装置の走査磁石(7)の焦点上に調整されている。
請求項（抜粋）：
6GHz以上の周波数を持つ電磁場を発生する進行波管を持つマイクロ波発生器が注入装置内に配置され、 電子サイクロトロン共鳴の多重充電イオンソース(3)が、注入装置内に配置され、このソースは、導波管を形成するプラズマキャビティー(21)を含み、このキャビティーの横平面において、キャビティーの特性寸法(D)が電磁場の波長と同一のオーダーの大きさであり、 マイクロ波発生器(60)と多重充電イオンソースのプラズマキャビティー(21)とは、電磁的に結合され、 所望のイオンビームに適合する複合ガス状媒体は、プラズマキャビティーへ流入することができ、ガス状媒体の流入率は、多重充電イオンの製造に適合する圧力閾値よりも小さいプラズマキャビティー内の残留真空を維持するように調整され、 プラズマキャビティーから抽出されるイオンビームの焦点合わせは、注入装置の走査磁石(7)の焦点上に調整されることを特徴とする低または中電流型の注入装置を用いる高エネルギーの注入方法。
IPC (4件)：
H01L 21/265
, C23C 14/48
, H01J 27/16
, H01J 37/317
H01L 21/265 F
, C23C 14/48 Z
, H01J 27/16
, H01J 37/317 Z
, H01L 21/265 D
