特許
J-GLOBAL ID：200903052791940830
ウエハ検査方法およびウエハ検査装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-356539
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123393
出願日： 2003年10月16日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】ウエハの状態で半導体チップの外観検査とプロービングテストを行う方法において、外観検査が適切に行われるようにする。【解決手段】プロービングテスト装置3の入側に配置されたθステージ21にウエハWを載せて、このウエハWの位置決めと各半導体チップの外観検査を行った後に、このウエハWをプロービングテスト装置3に設置してプロービングテストを行う。また、複数枚のウエハWを連続的に検査することで、ウエハWの外観検査を次工程であるプロービングテストの待機時間に行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ウエハの状態で、複数の半導体チップについて外観検査とプロービングテストを行うウエハ検査方法において、
複数枚のウエハを連続的に検査するとともに、
プロービングテスト装置の入側に配置された可動台にウエハを載せて、このウエハの位置決めと前記外観検査を行った後に、このウエハをプロービングテスト装置に設置して前記プロービングテストを行うことを特徴とするウエハ検査方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/66 B
, H01L21/66 J
, G01N21/956 A
2G051AB02
, 2G051CA04
, 2G051DA07
, 2G051DA08
, 4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106BA01
, 4M106CA01
, 4M106CA38
, 4M106DB04
, 4M106DJ04
, 4M106DJ07
, 4M106DJ19
, 4M106DJ20
