特許
J-GLOBAL ID：200903052800879766
磁気抵抗効果素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-319254
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163545
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗効果膜10の膜厚方向に電流を流すことができ、かつ磁気抵抗効果膜10の側部における電気的な短絡を生じることなく製造することができる磁気抵抗効果素子及びその製造方法を得る。【解決手段】 下部電極層2の上の磁気抵抗効果膜を選択的にエッチングすることにより磁界検出領域Dに磁気抵抗効果膜10を残すように設け、この磁気抵抗効果膜10の上に設けられた上部電極層8と下部電極層2との間に電流を流すことによりその電気抵抗の変化から磁界を検出する磁気抵抗効果素子であり、下部電極層2の上の少なくとも磁界検出領域D以外の領域にエッチングに対する保護膜3が設けられていることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
下部電極層の上の磁気抵抗効果素子を選択的にエッチングすることにより磁界検出領域に前記磁気抵抗効果膜を残すようにして設け、この磁気抵抗効果膜の上に設けられた上部電極層と前記下部電極層との間に電流を流すことによりその電気抵抗の変化から磁界の変化を検出する磁気抵抗効果素子において、前記下部電極層の上の少なくとも前記磁界検出領域以外の領域に、前記エッチングに対する保護膜が設けられていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01L 43/12
, G11B 5/39
, H01L 43/08
H01L 43/12
, G11B 5/39
, H01L 43/08 Z
